AS1FM-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | AS1FM-M3/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20000+ | $0.1089 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Avalanche |
Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.3 µs |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1.5A |
Kapazität @ Vr, F | 8.8pF @ 4V, 1MHz |
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 400V 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
2024/11/5
2024/01/31
2024/05/30
2024/09/9
AS1FM-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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